SP8M70TB1备选型号: FDS2734
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 终端
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)3A 2.5A150°C TJTape & Reel (TR)2013最后一次购买1 (Unlimited)EAR99650mW未说明not_compliant未说明N and P-Channel1.63 Ω @ 1.5A, 10V4V @ 1mA180pF @ 25V5.2nC @ 10V250VN-CHANNEL AND P-CHANNEL2.5A3AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant------------------------------------
- Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3A; 2.5W; SO8; UltraFET®表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2006活跃1 (Unlimited)EAR99----N-Channel117m Ω @ 3A, 10V4V @ 250μA2610pF @ 100V45nC @ 10V--3A3A--ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 day ago)9 WeeksTin8130mgSILICONUltraFET™e4yes8SMD/SMT117MOhmNickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)250VDUAL鸥翼3ASingle增强型MOSFET2.5W23 ns11ns±20V11 ns3V20V250V50A250V3 V1.5mm4mm5mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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