ROHM Semiconductor SP8M70TB1
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SP8M70TB1
2078-SP8M70TB1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC
--最小包装量--
SP8M70TB1详情
ROHM Semiconductor SP8M70TB1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3A 2.5A
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
650mW
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
N and P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.63 Ω @ 1.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
180pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5.2nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
250V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
2.5A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
SP8M70TB1拓展信息
ROHM Semiconductor
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