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首页 全部分类 SP8M8FU6TB vs IRF9389TRPBF

SP8M8FU6TB备选型号: IRF9389TRPBF

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
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  • 无铅
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  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 终端形式
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ROHM Semiconductor
    SP8M8FU6TB
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    6A 4.5A
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    47MOhm
    2W
    *M8
    增强型MOSFET
    2W
    N and P-Channel
    30m Ω @ 6A, 10V
    2.5V @ 1mA
    520pF @ 10V
    10.1nC @ 5V
    25ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    25 ns
    4.5A
    20V
    6A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9389TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    6.8A 4.6A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    2W
    IRF9389
    增强型MOSFET
    2W
    N and P-Channel
    27m Ω @ 6.8A, 10V
    2.3V @ 10μA
    398pF @ 15V
    14nC @ 10V
    14ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    15 ns
    4.6A
    20V
    -
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    SILICON
    HEXFET®
    8
    鸥翼
    Dual
    SWITCHING
    1.8V
    34A
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
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