您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 SPA08N50C3 vs SPA07N60C3XKSA1

SPA08N50C3备选型号: SPA07N60C3XKSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 包装
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 终止次数
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 电压 - 阈值
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 电容-输入
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 安装类型
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon
    SPA08N50C3
    Infineon
    INFINEON - SPA08N50C3XKSA1 - MOSFET, N, 500V, TO-220F
    8 Weeks
    TO-220-3
    NO
    3
    1
    Bulk
    2005
    yes
    Discontinued
    3
    150°C
    -55°C
    雪崩 额定
    560V
    THROUGH-HOLE
    未说明
    7.6A
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    32W
    ISOLATED
    6 ns
    3V
    SWITCHING
    无卤素
    5ns
    560V
    N-CHANNEL
    7 ns
    7.6A
    TO-220AB
    20V
    560V
    22.8A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    600mOhm
    600 mΩ
    750pF
    9.83mm
    10.65mm
    4.85mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPA07N60C3XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220
    -
    TO-220-3 Full Pack
    NO
    -
    7.3A Tc
    Tube
    2005
    yes
    不用于新设计
    3
    -
    -
    雪崩 额定
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    3
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    -
    ISOLATED
    -
    -
    SWITCHING
    -
    -
    650V
    -
    -
    -
    TO-220AB
    -
    -
    21.9A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    通孔
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    CoolMOS™
    e3
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    N-Channel
    600m Ω @ 4.6A, 10V
    3.9V @ 250μA
    790pF @ 25V
    27nC @ 10V
    ±20V
    7.3A
    0.6Ohm
    600V
    230 mJ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STF11NM50N STF11NM50N STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 Full Pack MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP 对比
STP11NK40ZFP STP11NK40ZFP STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 Full Pack STMICROELECTRONICS STP11NK40ZFP MOSFET Transistor, N Channel, 9 A, 400 V, 550 mohm, 10 V, 3.75 V 对比
SPA07N60C3XKSA1 SPA07N60C3XKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 Full Pack MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220 对比