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SPB08P06PGATMA1备选型号: FQB10N20LTM
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-26312 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON8.8A Ta-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)SIPMOS®2006e3noObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)雪崩 额定-60VSINGLE鸥翼未说明-8.8A未说明4R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET42W16 nsP-Channel300m Ω @ 6.2A, 10V4V @ 250μA无卤素420pF @ 25V13nC @ 10V46ns60V±20V14 ns8.8A20V-60V70 mJROHS3 Compliant含铅--------
MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB--10A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2000--Obsolete1 (Unlimited)----200V---10A------3.13W-N-Channel360mOhm @ 5A, 10V2V @ 250μA-830pF @ 25V17nC @ 5V150ns200V±20V95 ns10A20V--符合RoHS标准无铅D2PAK (TO-263AB)150°C-55°CSingle200V830pF360mOhm360 mΩ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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