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SPB17N80C3备选型号: STB19NM65N
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管技术
- 漏源电阻
- RoHS状态
- 无铅
- 安装类型
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 系列
- 基本部件号
- 元素配置
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
INFINEON - SPB17N80C3ATMA1 - MOSFET, N, TO-2638 Weeks表面贴装TO-26331切割胶带2003e3yes活跃1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn)150°C-55°C雪崩 额定800VSINGLE鸥翼未说明17A未说明4R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET227W25 ns无卤素800VN-CHANNEL17A20V800V670 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR250mOhm符合RoHS标准含铅-------------------
MOSFET N-Channel 650V 0.25 Ohms 15.5A-表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB315.5A TcTape & Reel (TR)---Obsolete1 (Unlimited)2------鸥翼---4R-PSSO-G2--增强型MOSFET150W25 ns---15.5A25V-400 mJ--ROHS3 Compliant-表面贴装SILICON150°C TJMDmesh™ IISTB19NSingleN-ChannelSWITCHING270m Ω @ 7.75A, 10V4V @ 250μA1900pF @ 50V55nC @ 10V8ns±25V26 ns0.27Ohm650V62A无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB19NM65N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Channel 650V 0.25 Ohms 15.5A | 对比 |
 | SPB20N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK | 对比 |
| SPB21N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 560V 21A TO-263 | 对比 |
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