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SPB80N06S2L-11备选型号: IPB80N06S208ATMA2
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 额定电流
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 无铅代码
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2004e3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99哑光锡AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE55VSINGLE鸥翼unknown80A4R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING11m Ω @ 40A, 10V2V @ 93μA2650pF @ 25V80nC @ 10V±20V80A0.0147Ohm320A280 mJNon-RoHS Compliant含铅----------- MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2006-活跃1 (Unlimited)2EAR99---SINGLE鸥翼---R-PSSO-G2-SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-Channel-7.7m Ω @ 58A, 10V4V @ 150μA2860pF @ 25V96nC @ 10V±20V80A0.0077Ohm-450 mJROHS3 Compliant含铅10 Weeks3yes14 ns无卤素15ns14 ns20V55V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | HUF75344S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 对比 |
| IPB80N06S208ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 | 对比 |
| IPB80N06S2L11ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 | 对比 |
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