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SPB80P06P备选型号: IRFZ44ESTRLPBF
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- 品牌:
- 描述:
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 系列
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 引脚数
- 电阻
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET P-CH 60V 80A D2PAKTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装SILICON80A Tc1999SIPMOS®Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJe0Obsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)雪崩 额定-60VSINGLE鸥翼未说明not_compliant-80A未说明4R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINP-Channel23m Ω @ 64A, 10V4V @ 5.5mA5033pF @ 25V173nC @ 10V60V±20V80A0.023Ohm320A824 mJNon-RoHS Compliant含铅------------------- MOSFET N-CH 60V 48A D2PAKTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装SILICON48A Tc2001HEXFET®Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJe3活跃1 (Unlimited)2EAR99-AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY60V-鸥翼260-48A30-R-PSSO-G2--增强型MOSFETDRAINN-Channel23m Ω @ 29A, 10V4V @ 250μA1360pF @ 25V60nC @ 10V-±20V48A--220 mJROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free12 WeeksTin323mOhmSingle110W12 nsSWITCHING60ns70 ns4V20V60V4.826mm10.668mm9.65mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFZ44ESTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK | 对比 |
| IRF1010ESTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK | 对比 |
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