SPD06N60C3ATMA1备选型号: NDD60N745U1T4G
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- 电压 - 额定直流
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- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 配置
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- Trans MOSFET N-CH 650V 6.2A 3-Pin(2 Tab) TO-2528 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633PG-TO252-3-16.2A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™2005不用于新设计1 (Unlimited)150°C-55°C650V6.2A74W7 nsN-Channel750mOhm @ 3.9A, 10V3.9V @ 260μA620pF @ 25V31nC @ 10V12ns600V±20V10 ns6.2A20V600V620pF680mOhm750 mΩROHS3 Compliant无铅-------
- MOSFET N-CH 600V 6.8A DPAK-34 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63--6.6A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2010Obsolete3 (168 Hours)------N-Channel745m Ω @ 3.25A, 10V4V @ 250μA440pF @ 50V15nC @ 10V-600V±25V-6.6A-----符合RoHS标准无铅LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)e3yesEAR99Tin (Sn)Single6.8A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD65R600C6BTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
![]() | NDD60N745U1T4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 6.8A DPAK-3 | 对比 |
![]() | SPD07N60C3BTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |




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