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首页 全部分类 SPD06N80C3ATMA1 vs IPD65R660CFDBTMA1

SPD06N80C3ATMA1备选型号: IPD65R660CFDBTMA1

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  • 终端形式
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  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Infineon Technologies
    SPD06N80C3ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 800(Min)V 6A 3-Pin TO-252 T/R
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    PG-TO252-3
    6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    800V
    6A
    83W
    25 ns
    N-Channel
    900mOhm @ 3.8A, 10V
    3.9V @ 250μA
    785pF @ 100V
    41nC @ 10V
    15ns
    800V
    ±20V
    8 ns
    6A
    20V
    800V
    785pF
    780mOhm
    900 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD65R660CFDBTMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 6A TO252
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2011
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    62.5W
    9 ns
    N-Channel
    660m Ω @ 2.1A, 10V
    4.5V @ 200μA
    615pF @ 100V
    22nC @ 10V
    8ns
    -
    ±20V
    10 ns
    6A
    20V
    650V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    no
    2
    EAR99
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    6A
    0.66Ohm
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