Infineon Technologies IPD80R1K0CEATMA1

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO252-3

质量

3.949996g

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

83W Tc

Turn Off Delay Time

72 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™ CE

已出版

2008

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

通道数量

1

元素配置

Single

功率耗散

83W

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

950mOhm @ 3.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

785pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31nC @ 10V

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

800V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

5.7A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

800V

漏源击穿电压

800V

输入电容

785pF

漏源电阻

800mOhm

最大rds

950 mΩ

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅