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首页 全部分类 SPD15P10PLGBTMA1 vs ZXMP10A18KTC

SPD15P10PLGBTMA1备选型号: ZXMP10A18KTC

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  • 场效应管类型
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 电阻
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    SPD15P10PLGBTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    15A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    2007
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    128W
    DRAIN
    7.6 ns
    P-Channel
    200m Ω @ 11.3A, 10V
    2V @ 1.54mA
    不含卤素
    1490pF @ 25V
    62nC @ 10V
    21ns
    100V
    ±20V
    29 ns
    15A
    TO-252AA
    20V
    -100V
    0.2Ohm
    60A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMP10A18KTC
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK
    17 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    3.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2006
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    低阈值
    -
    鸥翼
    260
    -
    40
    3
    R-PSSO-G2
    -
    -
    增强型MOSFET
    4.3W
    DRAIN
    4.9 ns
    P-Channel
    150m Ω @ 2.8A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    1055pF @ 50V
    26.9nC @ 10V
    6.8ns
    100V
    ±20V
    17.9 ns
    5.9A
    -
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3.949996g
    150mOhm
    1
    Single
    SWITCHING
    -4V
    -100V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
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