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首页 全部分类 SPD18P06P vs STD20NF06LT4

SPD18P06P备选型号: STD20NF06LT4

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  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    SPD18P06P
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    18.6A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    1999
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    -60V
    SINGLE
    鸥翼
    260
    unknown
    -18.6A
    未说明
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    80W
    12 ns
    P-Channel
    130m Ω @ 13.2A, 10V
    4V @ 1mA
    860pF @ 25V
    33nC @ 10V
    60V
    ±20V
    18.6A
    20V
    20V
    74.4A
    -60V
    20 V
    2.3mm
    6.5mm
    6.22mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD20NF06LT4
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    24A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ II
    -
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    -
    -
    60V
    -
    鸥翼
    260
    -
    24A
    30
    3
    R-PSSO-G2
    -
    -
    增强型MOSFET
    60W
    11 ns
    N-Channel
    40m Ω @ 12A, 10V
    2.5V @ 250μA
    660pF @ 25V
    13nC @ 10V
    -
    ±18V
    24A
    2.5V
    18V
    96A
    -
    2.5 V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    Tin
    40mOhm
    STD20N
    Single
    SWITCHING
    50ns
    12 ns
    60V
    无
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