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首页 全部分类 SPD18P06PGBTMA1 vs FDD6630A

SPD18P06PGBTMA1备选型号: FDD6630A

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  • 引脚数量
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 质量
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    SPD18P06PGBTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    18.6A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    1999
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    SINGLE
    鸥翼
    4
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    80W
    12 ns
    P-Channel
    130m Ω @ 13.2A, 10V
    4V @ 1mA
    不含卤素
    860pF @ 25V
    33nC @ 10V
    5.8ns
    60V
    ±20V
    11 ns
    18.6A
    TO-252AB
    20V
    -60V
    74.4A
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD6630A
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    21A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    28W
    5 ns
    N-Channel
    35m Ω @ 7.6A, 10V
    3V @ 250μA
    -
    462pF @ 15V
    7nC @ 5V
    8ns
    -
    ±20V
    13 ns
    21A
    -
    20V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
    260.37mg
    35MOhm
    30V
    21A
    Single
    DRAIN
    SWITCHING
    30V
    55 mJ
    1.7 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
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