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首页 全部分类 SPD30N06S2-23 vs IPD30N06S2L23ATMA3

SPD30N06S2-23备选型号: IPD30N06S2L23ATMA3

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  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 无铅代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • 最大双电源电压
  • Infineon Technologies
    SPD30N06S2-23
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    30A Tc
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    哑光锡
    雪崩 额定
    55V
    100W
    SINGLE
    鸥翼
    unknown
    30A
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    23m Ω @ 21A, 10V
    4V @ 50μA
    1250pF @ 25V
    32nC @ 10V
    ±20V
    30A
    0.023Ohm
    120A
    150 mJ
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD30N06S2L23ATMA3
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    30A Tc
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2006
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    SINGLE
    鸥翼
    not_compliant
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    23m Ω @ 22A, 10V
    2V @ 50μA
    1091pF @ 25V
    42nC @ 10V
    ±20V
    30A
    -
    120A
    150 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    10 Weeks
    3
    -55°C~175°C TJ
    yes
    未说明
    未说明
    AEC-Q101
    55V
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