SPP04N50C3XKSA1备选型号: STP8NM50N
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- 工厂交货时间
- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 最大结点温度(Tj)
- 漏源电阻
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 安装类型
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 基本部件号
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB18 Weeks通孔TO-220312005最后一次购买1 (Unlimited)150°C-55°C560V50W4.5A1Single50W10 ns5ns500V4.5A20V500V500V470pF150°C850mOhm20.7mm10.36mm4.57mmROHS3 Compliant含铅------------------------------
- MOSFET N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO16 Weeks通孔TO-220-335A Tc-活跃1 (Unlimited)-------45W7 ns4.4ns-5A25V-500V---16.4mm10.4mm4.6mmROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)通孔SILICON150°C TJTubeMDmesh™ IIe33EAR99790mOhmMatte Tin (Sn)SINGLESTP8N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING790m Ω @ 2.5A, 10V4V @ 250μA364pF @ 50V14nC @ 10V±25V8.8 ns3VTO-220AB5A20A无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STP8NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO | 对比 |
![]() | SPP04N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB | 对比 |





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