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首页 全部分类 SPP04N80C3XK vs IRFU220NPBF

SPP04N80C3XK备选型号: IRFU220NPBF

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    SPP04N80C3XK
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    3
    AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.3 Ω @ 2.5A, 10V
    3.9V @ 240μA
    570pF @ 100V
    31nC @ 10V
    15ns
    800V
    ±20V
    12 ns
    4A
    TO-220AB
    20V
    4A
    12A
    800V
    170 mJ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFU220NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    SILICON
    5A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2000
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    6.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    600m Ω @ 2.9A, 10V
    4V @ 250μA
    300pF @ 25V
    23nC @ 10V
    11ns
    -
    ±20V
    12 ns
    5A
    -
    20V
    5A
    20A
    -
    46 mJ
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    e3
    EAR99
    600Ohm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    200V
    260
    5A
    30
    Single
    43W
    DRAIN
    4V
    200V
    200V
    140 ns
    4 V
    6.22mm
    6.7056mm
    2.3876mm
    无SVHC
    无
    Contains Lead, Lead Free
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