SPP07N60S5XKSA1备选型号: IRF630
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- 工厂交货时间
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 漏源电阻
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 安装类型
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 系列
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 基本部件号
- 螺纹距离
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 反向恢复时间
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube2 Weeks通孔TO-2201Rail/Tube2005最后一次购买1 (Unlimited)150°C-55°CSingle82W120 ns40ns20 ns7.3A20V600V600mOhm无ROHS3 Compliant------------------------------------
- In a Tube of 50, IRF630 N-Channel MOSFET, 9 A, 200 V STripFET, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics12 Weeks通孔TO-220-39A TcTube-ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)1 (Unlimited)--Single75W10 ns15ns-9A20V200V-无ROHS3 Compliant通孔34.535924gSILICON4V @ 250μA-65°C~150°C TJMESH OVERLAY™ IIe33EAR99400mOhmMatte Tin (Sn)雪崩 额定200V9AIRF62.54mm增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING400m Ω @ 4.5A, 10V700pF @ 25V45nC @ 10V±20V170 ns3VTO-220AB9A200V3 V50 pF15.75mm10.4mm4.6mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FCP600N60Z | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FAST, 600 V, 7.4 A, 600 mO | 对比 | |
![]() | IPP60R520C6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3 Tab) TO-220 | 对比 |
![]() | SPP08N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-220AB | 对比 |





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