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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥22.180218
10
¥20.924733
100
¥19.740315
500
¥18.62294
1000
¥17.568813
ON Semiconductor FCP600N60Z
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- 对比
FCP600N60Z
1807-FCP600N60Z
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FAST, 600 V, 7.4 A, 600 mO
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FCP600N60Z详情
ON Semiconductor FCP600N60Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
15 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
1.8g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.4A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
89W Tc
Turn Off Delay Time
88 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperFET® II
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Single
功率耗散
89W
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
600m Ω @ 3.7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1120pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
26nC @ 10V
上升时间
24ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
28 ns
连续放电电流(ID)
7.4A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
650V
高度
16.51mm
长度
10.67mm
宽度
4.83mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FCP600N60Z拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








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