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首页 全部分类 SPP07N65C3XKSA1 vs IPP65R600C6XKSA1

SPP07N65C3XKSA1备选型号: IPP65R600C6XKSA1

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  • 元素配置
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  • 无卤素
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
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  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Infineon Technologies
    SPP07N65C3XKSA1
    Infineon Technologies
    LOW POWER_LEGACY
    通孔
    TO-220
    3
    1
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    650V
    83W
    7.3A
    Single
    83W
    6 ns
    无卤素
    3.5ns
    650V
    7 ns
    7.3A
    20V
    650V
    650V
    790pF
    600mOhm
    600 mΩ
    15.95mm
    10.36mm
    4.57mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP65R600C6XKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3 Tab) TO-220
    通孔
    TO-220-3
    -
    7.3A Tc
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    63W
    12 ns
    无卤素
    9ns
    -
    13 ns
    7.3A
    20V
    650V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    12 Weeks
    通孔
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    600m Ω @ 2.1A, 10V
    3.5V @ 210μA
    440pF @ 100V
    23nC @ 10V
    ±20V
    TO-220AB
    0.6Ohm
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