SPP07N65C3XKSA1备选型号: STP11N65M5
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- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 终止次数
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 辐射硬化
- LOW POWER_LEGACY通孔TO-220312008Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C650V83W7.3ASingle83W6 ns无卤素3.5ns650V7 ns7.3A20V650V650V790pF600mOhm600 mΩ15.95mm10.36mm4.57mm符合RoHS标准无铅----------------------
- MOSFET N CH 650V 9A TO-220通孔TO-220-339A Tc-活跃1 (Unlimited)-----Single85W23 ns----9A25V-650V---15.75mm10.4mm4.6mmROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)17 Weeks通孔SILICON150°C TJTubeMDmesh™ V3EAR99STP11N增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING480m Ω @ 4.5A, 10V5V @ 250μA644pF @ 100V17nC @ 10V±25VTO-220AB9A0.48Ohm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP65R600C6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3 Tab) TO-220 | 对比 |
![]() | SPP08N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-220AB | 对比 |
![]() | STP11N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N CH 650V 9A TO-220 | 对比 |





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