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SPP15P10P备选型号: SPP10N10

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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    SPP15P10P
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 100V 15A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    15A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    SIPMOS®
    2002
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -100V
    -15A
    3
    P-Channel
    240m Ω @ 10.6A, 10V
    2.1V @ 1.54mA
    1180pF @ 25V
    50nC @ 10V
    30ns
    100V
    ±20V
    15A
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPP10N10
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    10.3A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    SIPMOS®
    2001
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    100V
    10.3A
    3
    N-Channel
    170m Ω @ 7.8A, 10V
    4V @ 21μA
    426pF @ 25V
    19.4nC @ 10V
    -
    -
    ±20V
    10.3A
    符合RoHS标准
    无铅
    3
    SILICON
    e3
    3
    哑光锡
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    unknown
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    50W
    TO-262AA
    20V
    60 mJ
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