Infineon Technologies SPP10N10

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.3A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

50W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

SIPMOS®

已出版

2001

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

100V

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

10.3A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

50W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

170m Ω @ 7.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 21μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

426pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

19.4nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

10.3A

JEDEC-95代码

TO-262AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

雪崩能量等级（Eas）

60 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅