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SPP15P10PLHXKSA1备选型号: IPP50R190CEXKSA1
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- 工厂交货时间
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- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 无铅
- 元素配置
- 晶体管应用
- 漏源击穿电压
Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(3 Tab) TO-22013 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON15A Tc2V @ 1.54mA2007-55°C~175°C TJTubeSIPMOS®e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLESINGLE未说明未说明不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET128W7.6 nsP-Channel200m Ω @ 11.3A, 10V无卤素1490pF @ 25V62nC @ 10V21ns100V±20V29 ns15ATO-220AB20V-100V0.2Ohm60AROHS3 Compliant无铅---- MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-22018 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON18.5A Tc3.5V @ 510μA2008-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ CEe3yes活跃1 (Unlimited)3-Tin (Sn)--未说明未说明--增强型MOSFET127W9.5 nsN-Channel190m Ω @ 6.2A, 13V无卤素1137pF @ 100V47.2nC @ 10V8.5ns-±20V7.5 ns18.5ATO-220AB20V500V0.19Ohm-ROHS3 Compliant无铅SingleSWITCHING550V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP17NF25 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 250V 17A TO-220 | 对比 |
| STP16NF06 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 60V 16A TO-220 | 对比 |
| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-220 | 对比 |
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