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首页 全部分类 SPP18P06PHXKSA1 vs STP20NF06L

SPP18P06PHXKSA1备选型号: STP20NF06L

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    SPP18P06PHXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    18.7A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    SIPMOS®
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    81.1W
    12 ns
    P-Channel
    130m Ω @ 13.2A, 10V
    4V @ 1mA
    无卤素
    860pF @ 25V
    28nC @ 10V
    5.8ns
    60V
    ±20V
    11 ns
    18.7A
    TO-220AB
    20V
    -60V
    74.8A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP20NF06L
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 20A TO-220
    -
    Surface Mount, Through Hole
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    20A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    STripFET™ II
    -
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    3
    -
    增强型MOSFET
    60W
    12 ns
    N-Channel
    70m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    400pF @ 25V
    7.5nC @ 10V
    30ns
    -
    ±18V
    6 ns
    10A
    TO-220AB
    18V
    -
    80A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    NRND (Last Updated: 8 months ago)
    70mOhm
    60V
    20A
    STP20N
    Single
    SWITCHING
    3V
    60V
    9.15mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
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