ON Semiconductor FQP19N10L

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

TO-220-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

19A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Power Dissipation (Max)

75W Tc

Turn Off Delay Time

20 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2000

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

100V

额定电流

19A

元素配置

Single

功率耗散

75W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

100mOhm @ 9.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

870pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18nC @ 5V

上升时间

410ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

140 ns

连续放电电流(ID)

19A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

输入电容

870pF

漏源电阻

100mOhm

最大rds

100 mΩ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅