SPP20N60CFDXKSA1备选型号: IPA60R160P6XKSA1

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  • 工厂交货时间
  • 底架
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  • 供应商器件包装
  • 操作温度
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 通道数量
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    PG-TO220-3-1
    20.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2011
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    650V
    20.7A
    Single
    208W
    12 ns
    N-Channel
    220mOhm @ 13.1A, 10V
    5V @ 1mA
    2400pF @ 25V
    124nC @ 10V
    15ns
    650V
    ±20V
    6.4 ns
    20.7A
    20V
    600V
    2.4nF
    190mOhm
    220 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    PG-TO220-FP
    23.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ P6
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    -
    -
    -
    -
    12.5 ns
    N-Channel
    160mOhm @ 9A, 10V
    4.5V @ 750μA
    2080pF @ 100V
    44nC @ 10V
    7.6ns
    600V
    ±20V
    5.8 ns
    23.8A
    20V
    600V
    2.08nF
    144mOhm
    160 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    6.000006g
    1
    无卤素
    600V
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IPA65R190E6XKSA1 IPA65R190E6XKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-220-3 Full Pack MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 对比