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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥26.547131
10
¥25.044462
100
¥23.626852
500
¥22.289483
1000
¥21.027816
Infineon Technologies SPP20N60CFDXKSA1
- 收藏
- 对比
SPP20N60CFDXKSA1
1211-SPP20N60CFDXKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SPP20N60CFDXKSA1详情
Infineon Technologies SPP20N60CFDXKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
9 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO220-3-1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
20.7A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
208W Tc
Turn Off Delay Time
59 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2011
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
650V
额定电流
20.7A
元素配置
Single
功率耗散
208W
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
220mOhm @ 13.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2400pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
124nC @ 10V
上升时间
15ns
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
6.4 ns
连续放电电流(ID)
20.7A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
600V
输入电容
2.4nF
漏源电阻
190mOhm
最大rds
220 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SPP20N60CFDXKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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