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首页 全部分类 SPP80N06S2-07 vs STP90N6F6

SPP80N06S2-07备选型号: STP90N6F6

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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 质量
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Infineon Technologies
    SPP80N06S2-07
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2003
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    哑光锡
    雪崩 额定
    55V
    SINGLE
    80A
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    16 ns
    N-Channel
    6.6m Ω @ 68A, 10V
    4V @ 180μA
    4540pF @ 25V
    110nC @ 10V
    37ns
    ±20V
    36 ns
    80A
    TO-220AB
    20V
    0.0066Ohm
    无
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP90N6F6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    -
    84A Tc
    175°C TJ
    Tube
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    22 ns
    N-Channel
    6.8m Ω @ 38.5A, 10V
    4V @ 250μA
    4295pF @ 25V
    74.9nC @ 10V
    42ns
    ±20V
    16 ns
    84A
    -
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    329.988449mg
    未说明
    未说明
    STP90N
    1
    Single
    60V
    90A
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