SPP80N06S2L-09备选型号: IRFI3205PBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- Reach合规守则
- 额定电流
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 终端
- 电阻
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 隔离电压
- 栅源电压
- 高度
- 宽度
- 长度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 55V 80A TO-220通孔通孔TO-220-3SILICON80A Tc-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2003e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99哑光锡AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE55VSINGLEunknown80A3R-PSFM-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING8.5m Ω @ 52A, 10V2V @ 125μA3480pF @ 25V105nC @ 10V±20V80ATO-220AB0.0113Ohm320A370 mJNon-RoHS Compliant含铅-----------------------
- MOSFET N-CH 55V 64A TO220FP通孔通孔TO-220-3 Full PackSILICON43 ns-55°C~175°C TJTubeHEXFET®1997-活跃1 (Unlimited)3EAR99-AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE55V--64A----增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING8m Ω @ 34A, 10V4V @ 250μA4000pF @ 25V170nC @ 10V±20V64ATO-220AB--480 mJROHS3 Compliant无铅12 Weeks3通孔8mOhmSingle63WISOLATED14 ns100ns70 ns4V20V56A55V55V170 ns2kV4 V9.8mm4.826mm10.7442mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP80N06S2L09AKSA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | 对比 |
![]() | IRFI3205PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 55V 64A TO220FP | 对比 |
![]() | DMTH6005LCT | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET NCH 60V 100A TO220AB | 对比 |





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