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首页 全部分类 SPP80N06S2L-11 vs AUIRFZ48Z

SPP80N06S2L-11备选型号: AUIRFZ48Z

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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 电阻
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    SPP80N06S2L-11
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2004
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    哑光锡
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    55V
    SINGLE
    unknown
    80A
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    158W
    8.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11m Ω @ 40A, 10V
    2V @ 93μA
    2650pF @ 25V
    80nC @ 10V
    19ns
    ±20V
    18 ns
    80A
    TO-220AB
    20V
    280 mJ
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRFZ48Z
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 61A TO220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    61A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2006
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    91W
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11m Ω @ 37A, 10V
    4V @ 250μA
    1720pF @ 25V
    64nC @ 10V
    69ns
    ±20V
    39 ns
    61A
    TO-220AB
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    16 Weeks
    8.6MOhm
    Single
    DRAIN
    2V
    55V
    240A
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
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