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首页 全部分类 SPW47N65C3FKSA1 vs STW54NM65ND

SPW47N65C3FKSA1备选型号: STW54NM65ND

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  • 端子表面处理
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 功率耗散
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 下降时间（典型值）
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  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    SPW47N65C3FKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    47A Tc
    3.9V @ 2.7mA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2007
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    415W
    100 ns
    N-Channel
    70m Ω @ 30A, 10V
    7000pF @ 25V
    255nC @ 10V
    27ns
    ±20V
    14 ns
    47A
    TO-247AD
    20V
    650V
    0.07Ohm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW54NM65ND
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 650V 0.055 Ohm 49A FDmesh II
    42 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    152 ns
    5V @ 250μA
    150°C TJ
    Tube
    FDmesh™ II
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    R-PSFM-T3
    -
    -
    增强型MOSFET
    350W
    -
    N-Channel
    65m Ω @ 24.5A, 10V
    6200pF @ 50V
    188nC @ 10V
    59ns
    ±25V
    98 ns
    49A
    -
    25V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    65MOhm
    STW54N
    Single
    SWITCHING
    650V
    850 mJ
    无
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