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首页 全部分类 SSM3K37CT,L3F vs DMN26D0UT-7

SSM3K37CT,L3F备选型号: DMN26D0UT-7

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  • 终止次数
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  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    SSM3K37CT,L3F
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 20V 0.2A CST3
    12 Weeks
    SC-101, SOT-883
    表面贴装
    表面贴装
    100mW Ta
    U-MOSIII
    2004
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    2.2 Ω @ 100mA, 4.5V
    1V @ 1mA
    12pF @ 10V
    20V
    ±10V
    200mA
    符合RoHS标准
    -
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  • Diodes Incorporated
    DMN26D0UT-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
    14 Weeks
    SOT-523
    表面贴装
    表面贴装
    230mA Ta
    -
    2009
    Cut Tape (CT)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    3 Ω @ 100mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    14.1pF @ 15V
    -
    ±10V
    230mA
    ROHS3 Compliant
    3
    2.012816mg
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    3Ohm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    300mW
    3.8 ns
    SWITCHING
    7.9ns
    15.2 ns
    1V
    10V
    20V
    150°C
    900μm
    1.7mm
    850μm
    无SVHC
    无
    无铅
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