SST25VF016B-75-4I-QAF备选型号: M25PE16-VMW6G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 基本部件号
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 界面
- 内存大小
- 电源电流
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 同步/异步
- 字长
- 编程电压
- 串行总线类型
- 耐力
- 数据保持时间
- 写入保护
- 长度
- 高度
- 宽度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- 工厂交货时间
- 表面安装
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 电压
- 写入周期时间 - 最大值
- 页面尺寸
- MICROCHIP - SST25VF016B-75-4I-QAF - MEMORY, FLASH, 16MBIT, SPI, 8WSON表面贴装表面贴装8-WDFN Exposed Pad8Non-Volatile-40°C~85°C TATube2005SST25e4yesObsolete3 (168 Hours)8EAR99镍钯金2.7V~3.6VDUAL13V1.27mmSST25VF016B83.3V3.6V2.7VSPI, Serial16Mb 2M x 820mA80MHz6 nsFLASHSPI8b16MX110μs1b16 Mb0.00002ASynchronous8b2.7VSPI100000 Write/Erase Cycles100HARDWARE/SOFTWARE6mm750μm5mmROHS3 Compliant无无SVHC无铅-------
- MICRON - M25PE16-VMW6G - FLASH, SERIAL, 16MBIT, 8WSOIC-表面贴装8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)8Non-Volatile-40°C~85°C TATube2012-e4yesObsolete3 (168 Hours)8EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)2.7V~3.6VDUAL13V1.27mmM25PE1683.3V--SPI, Serial16Mb 2M x 812mA75MHz8 nsFLASHSPI--15ms, 3ms1b16 Mb0.00001ASynchronous8b-SPI100000 Write/Erase Cycles20HARDWARE/SOFTWARE4.9mm1.75mm3.9mmROHS3 Compliant无无SVHC-13 WeeksYES260302.7V15ms256B
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SST26VF016B-104I/SM | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIJ | 对比 |
| M25PE16-VMW6G | Micron Technology Inc. | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | MICRON - M25PE16-VMW6G - FLASH, SERIAL, 16MBIT, 8WSOIC | 对比 |




哦! 它是空的。