SST25VF080B-50-4C-PAE备选型号: 23K256-I/P

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  • 工厂交货时间
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  • 包装/外壳
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 电源电压-最大值(Vsup)
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  • 电源电流-最大值
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  • 内存格式
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  • 写入周期时间 - 字符、页面
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  • 串行总线类型
  • 耐力
  • 数据保持时间
  • 写入保护
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 输出特性
  • 地址总线宽度
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 达到SVHC
  • Microchip Technology
    Flash Memory 8M (1Mx8) 50MHz Commercial Temp
    7 Weeks
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    Non-Volatile
    0°C~70°C TA
    Tube
    SST25
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    2.7V~3.6V
    DUAL
    1
    3V
    2.54mm
    SST25VF080B
    8
    3.3V
    3.6V
    2.7V
    SPI, Serial
    8Mb 1M x 8
    50MHz
    0.03mA
    5 ns
    FLASH
    SPI
    8b
    10μs
    8 Mb
    0.00002A
    2.7V
    SPI
    100000 Write/Erase Cycles
    100
    HARDWARE/SOFTWARE
    4.95mm
    10.16mm
    7.11mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    MICROCHIP - 23K256-I/P - SRAM, 32 Kbit, 32K x 8bit, 2.7V to 3.6V, DIP, 8 Pins
    7 Weeks
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tube
    -
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    2.7V~3.6V
    DUAL
    1
    3V
    2.54mm
    23K256
    8
    3.3V
    3.6V
    2.7V
    SPI, Serial
    256Kb 32K x 8
    20MHz
    -
    25 ns
    SRAM
    SPI
    -
    -
    256 kb
    0.000004A
    -
    -
    -
    -
    -
    3.3mm
    9.27mm
    6.35mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1
    10mA
    3-STATE
    1b
    SEPARATE
    Synchronous
    8b
    2.7V
    无SVHC
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