SST25WF020-40-5I-SAF备选型号: M45PE20-VMN6P
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- 描述:
- 表面安装
- 包装/外壳
- 安装类型
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- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 界面
- 内存大小
- 电源电流
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- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 同步/异步
- 字长
- 串行总线类型
- 耐力
- 数据保持时间
- 座位高度(最大)
- 长度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- 电源
- 电压
- 待机电流-最大值
- 写入保护
- 宽度
- 高度
- MICROCHIP SST25WF020-40-5I-SAFFlash Memory, 2 Mbit, 256K x 8bit, 40 MHz, 4 Wire, Serial, SPI, SOIC, 8 PinsYES8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)表面贴装8Non-Volatile2005SST25Tube-40°C~85°C TAe4yesObsolete3 (168 Hours)83A991.B.1.A镍钯金1.65V~1.95VDUAL26011.8V1.27mm40SST25WF02081.8V1.95V1.65VSPI, Serial2Mb 256K x 810mA40MHz9 nsFLASHSPI8b860μs1b2 MbSynchronous8bSPI100000 Write/Erase Cycles1001.75mm4.9mmROHS3 Compliant无无SVHC无铅------
- MICRON M45PE20-VMN6PFlash Memory, Low Voltage, Page Erasable, Byte Alterability, 2 Mbit, 256K x 8bit, 75 MHzYES8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)表面贴装8Non-Volatile2004-Tube-40°C~85°C TA-yesObsolete3 (168 Hours)8EAR99-2.7V~3.6VDUAL26013V1.27mm30M45PE208---SPI, Serial2Mb 256K x 88mA75MHz8 nsFLASHSPI--15ms, 3ms1b2 MbSynchronous8bSPI100000 Write/Erase Cycles20-4.9mmROHS3 Compliant无无SVHC-3/3.3V2.7V0.00001AHARDWARE/SOFTWARE3.9mm1.75mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SST25LF020A-33-4C-SAE-T | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC FLASH 2M SPI 33MHZ 8SOIC | 对比 |
![]() | SST25VF020B-80-4I-SAE-T | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC FLASH 2MBIT 80MHZ 8SOIC | 对比 |
| M45PE20-VMN6P | Micron Technology Inc. | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MICRON M45PE20-VMN6PFlash Memory, Low Voltage, Page Erasable, Byte Alterability, 2 Mbit, 256K x 8bit, 75 MHz | 对比 |



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