SST25WF020AT-40I/NP备选型号: M45PE20-VMN6P
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- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 界面
- 内存大小
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 页面尺寸
- 长度
- 座位高度(最大)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 表面安装
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 引脚数量
- 电源
- 电压
- 电源电流
- 待机电流-最大值
- 同步/异步
- 字长
- 串行总线类型
- 耐力
- 数据保持时间
- 写入保护
- 宽度
- 高度
- MICROCHIP SST25WF020AT-40I/NPFlash Memory, Serial, 2 Mbit, 256K x 8bit, 40 MHz, SPI, USON, 8 Pins6 WeeksTin表面贴装表面贴装8-UFDFN Exposed Pad8Non-Volatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)SST252013e3活跃1 (Unlimited)81.65V~1.95VDUAL26011.8V0.5mm40SST25WF0201.8V1.95V1.65VSPI, Serial2Mb 256K x 840MHz11 nsFLASHSPI8b2MX113.5ms24b2 Mb256B3mm0.6mm无SVHC无ROHS3 Compliant----------------
- MICRON M45PE20-VMN6PFlash Memory, Low Voltage, Page Erasable, Byte Alterability, 2 Mbit, 256K x 8bit, 75 MHz---表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8Non-Volatile-40°C~85°C TATube-2004-Obsolete3 (168 Hours)82.7V~3.6VDUAL26013V1.27mm30M45PE20---SPI, Serial2Mb 256K x 875MHz8 nsFLASHSPI---15ms, 3ms1b2 Mb-4.9mm-无SVHC无ROHS3 CompliantYESyesEAR9983/3.3V2.7V8mA0.00001ASynchronous8bSPI100000 Write/Erase Cycles20HARDWARE/SOFTWARE3.9mm1.75mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SST25LF020A-33-4C-SAE | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC FLASH 2M SPI 33MHZ 8SOIC | 对比 |
| M45PE20-VMN6P | Micron Technology Inc. | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MICRON M45PE20-VMN6PFlash Memory, Low Voltage, Page Erasable, Byte Alterability, 2 Mbit, 256K x 8bit, 75 MHz | 对比 |




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