SST26VF016B-104I/SN备选型号: M25PE16-VMW6G
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- 工厂交货时间
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 界面
- 内存大小
- 电源电流
- 操作模式
- 时钟频率
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 密度
- 待机电流-最大值
- 并行/串行
- 编程电压
- 串行总线类型
- 耐力
- 数据保持时间
- 写入保护
- 页面尺寸
- 引导模块
- 环境温度范围高
- 反向引脚排列
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 表面安装
- 无铅代码
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电压
- 访问时间
- 地址总线宽度
- 同步/异步
- 字长
- 写入周期时间 - 最大值
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC7 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8C04-057-SNNon-Volatile-40°C~85°C TATubeSST26 SQI®2014e3活跃1 (Unlimited)83A991.B.1.AMatte Tin (Sn) - annealed2.7V~3.6VDUAL26013V1.27mm40SST26VF016B3.6V2.7VSPI16Mb 2M x 88mASYNCHRONOUS104MHzFLASHSPI - Quad I/O16MX11.5ms16 Mb0.000025ASERIAL2.7VSPI100000 Write/Erase Cycles100HARDWARE/SOFTWARE256BBOTTOM/TOP85°CNO1.75mm4.9mm3.9mmROHS3 Compliant------------
- MICRON - M25PE16-VMW6G - FLASH, SERIAL, 16MBIT, 8WSOIC13 Weeks-表面贴装8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)8-Non-Volatile-40°C~85°C TATube-2012e4Obsolete3 (168 Hours)8EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)2.7V~3.6VDUAL26013V1.27mm30M25PE16--SPI, Serial16Mb 2M x 812mA-75MHzFLASHSPI-15ms, 3ms16 Mb0.00001A--SPI100000 Write/Erase Cycles20HARDWARE/SOFTWARE256B---1.75mm4.9mm3.9mmROHS3 CompliantYESyes83.3V2.7V8 ns1bSynchronous8b15ms无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SST25VF016B-75-4I-QAF | Microchip Technology | 存储器 | 8-WDFN Exposed Pad | MICROCHIP - SST25VF016B-75-4I-QAF - MEMORY, FLASH, 16MBIT, SPI, 8WSON | 对比 |
| M25PE16-VMW6G | Micron Technology Inc. | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | MICRON - M25PE16-VMW6G - FLASH, SERIAL, 16MBIT, 8WSOIC | 对比 |




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