SST26VF016B-104V/SM备选型号: SST26VF032B-104I/SM
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- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
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- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 界面
- 内存大小
- 操作模式
- 时钟频率
- 电源电流-最大值
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- 并行/串行
- 编程电压
- 串行总线类型
- 耐力
- 数据保持时间
- 写入保护
- 引导模块
- 反向引脚排列
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 底架
- 引脚数
- ECCN 代码
- 资历状况
- 工作电源电压
- 访问时间
- 密度
- 筛选水平
- 页面尺寸
- 环境温度范围高
- 高度
- 达到SVHC
- 无铅
- IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIJ6 Weeks表面贴装8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)YESNon-Volatile-40°C~105°C TATubeSST26 SQI®2017e3活跃3 (168 Hours)8Matte Tin (Sn) - annealed2.7V~3.6VDUAL26013V1.27mm40SST26VF016BR-PDSO-G83.6V2.7VSPI16Mb 2M x 8SYNCHRONOUS104MHz0.025mAFLASHSPI - Quad I/O16MX111.5ms0.000025A16777216 bitSERIAL2.7VSPI100000 Write/Erase Cycles100HARDWARE/SOFTWAREBOTTOM/TOPNO5.26mm2.03mm5.25mmROHS3 Compliant-------------
- IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIJ6 Weeks表面贴装8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)-Non-Volatile-40°C~85°C TATubeSST26 SQI®2013e3活跃1 (Unlimited)8Matte Tin (Sn) - annealed2.7V~3.6VDUAL26013V1.27mm未说明SST26VF032-3.6V2.7VSPI32Mb 4M x 8SYNCHRONOUS104MHz0.02mAFLASHSPI - Quad I/O32MX1-1.5ms0.000045A-SERIAL-SPI100000 Write/Erase Cycles-HARDWARE/SOFTWARE--5.26mm-5.25mmROHS3 Compliant表面贴装83A991.B.1.A不合格3V3 ns32 MbTS 16949256B85°C2.03mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SST26WF040B-104I/SN | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | NOR Flash Serial-SPI 1.8V 4Mbit 4M/2M/1M x 1bit/2bit/4bit 8ns 8-Pin SOIC N Tube | 对比 |
![]() | SST26VF032B-104I/SM | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIJ | 对比 |
| IS25LQ040B-JNLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC | 对比 |




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