SST26WF016BAT-104I/CS备选型号: SST26VF016BT-104I/SM
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- 电压 - 供电
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- 基本部件号
- JESD-30代码
- 电源电压-最大值(Vsup)
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- 组织结构
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- 写入周期时间 - 字符、页面
- 记忆密度
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- 并行/串行
- 编程电压
- RoHS状态
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- 底架
- 引脚数
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 端子间距
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- 资历状况
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- 电源电流-最大值
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- 待机电流-最大值
- 串行总线类型
- 耐力
- 数据保持时间
- 写入保护
- 页面尺寸
- 引导模块
- 反向引脚排列
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8CSP8 Weeks表面贴装8-UFBGA, CSPBGAYESNon-Volatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)SST26 SQI®2014yes活跃3 (168 Hours)81.65V~1.95VBOTTOM11.8VSST26WF016R-PBGA-B81.95V1.65VSPI16Mb 2M x 8SYNCHRONOUS104MHzFLASHSPI - Quad I/O16MX111.5ms16777216 bitTS 16949SERIAL1.8VROHS3 Compliant-----------------------
- Serial 2.5V/3V 16Mbit 16M x 1bit 8ns/5ns 8-Pin SOIJ T/R6 Weeks表面贴装8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)-Non-Volatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)SST26 SQI®2014-活跃1 (Unlimited)82.7V~3.6VDUAL13VSST26VF016B-3.6V2.7VSPI, Serial16Mb 2M x 8SYNCHRONOUS104MHzFLASHSPI - Quad I/O16MX111.5ms---2.7VROHS3 CompliantTin表面贴装8e33A991.B.1.A2601.27mm40不合格3/3.3V0.025mA16 Mb0.000025ASPI100000 Write/Erase Cycles100HARDWARE/SOFTWARE256BBOTTOM/TOPNO5.26mm2.03mm5.25mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SST26VF016BT-104I/SM | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | Serial 2.5V/3V 16Mbit 16M x 1bit 8ns/5ns 8-Pin SOIJ T/R | 对比 |
![]() | SST26VF016BT-104I/MF | Microchip Technology | 存储器 | 8-WDFN Exposed Pad | Serial 2.5V/3V 16Mbit 16M x 1bit 8ns/5ns 8-Pin WDFN EP T/R | 对比 |
| IS25LQ040B-JNLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC | 对比 |





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