SST26WF080BT-104I/MF备选型号: SST26WF040B-104I/MF
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 界面
- 内存大小
- 操作模式
- 时钟频率
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 记忆密度
- 筛选水平
- 并行/串行
- 编程电压
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 引脚数
- 工作电源电压
- 密度
- 页面尺寸
- 达到SVHC
- 无铅
- IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WDFN7 Weeks表面贴装8-WDFN Exposed PadYESNon-Volatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)SST26 SQI®2014e3活跃3 (168 Hours)8Matte Tin (Sn) - annealed1.65V~1.95VDUAL26011.8V1.27mm30SST26WF080R-PDSO-N81.95V1.65VSPI8Mb 1M x 8SYNCHRONOUS104MHzFLASHSPI - Quad I/O80MX111.5ms83886080 bitTS 16949SERIAL1.8V6mm0.8mm5mmROHS3 Compliant------
- NOR Flash Serial-SPI 1.8V 4Mbit 4M/2M/1M x 1bit/2bit/4bit 8ns 8-Pin WDFN EP Tube7 Weeks表面贴装8-WDFN Exposed PadYESNon-Volatile-40°C~85°C TATubeSST26 SQI®2014e3活跃3 (168 Hours)8Matte Tin (Sn) - annealed1.65V~1.95VDUAL26011.8V1.27mm30SST26WF040-1.95V1.65VSPI, Serial4Mb 512K x 8SYNCHRONOUS104MHzFLASHSPI - Quad I/O4MX111.5ms-TS 16949--6mm-5mmROHS3 Compliant81.8V4 Mb256B无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SST26WF040BT-104I/NP | Microchip Technology | 存储器 | 8-UFDFN Exposed Pad | IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8USON | 对比 |
| IS25LQ040B-JNLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC | 对比 | |
![]() | SST26WF040B-104I/MF | Microchip Technology | 存储器 | 8-WDFN Exposed Pad | NOR Flash Serial-SPI 1.8V 4Mbit 4M/2M/1M x 1bit/2bit/4bit 8ns 8-Pin WDFN EP Tube | 对比 |




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