SST38VF6401B-70I/CD备选型号: M28W640HCB70ZB6E
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 电源电流-最大值
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 编程电压
- 数据轮询
- 拨动位
- 命令用户界面
- 扇区/尺寸数
- 行业规模
- 页面尺寸
- 准备就绪/忙碌
- 引导模块
- 通用闪存接口
- 长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 表面安装
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 附加功能
- HTS代码
- 引脚数量
- 电源
- 电压
- 电源电流
- 访问时间(最大)
- 同步/异步
- 字长
- Flash Parallel 3.3V 64Mbit 4M x 16bit 48-Pin TFBGA7 WeeksCopper, Silver, Tin表面贴装表面贴装48-TFBGA48Non-Volatile-40°C~85°C TATraySST382013e1活跃3 (168 Hours)48Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)2.7V~3.6VBOTTOM26013V0.8mm40SST38VF64013.3V3.6V2.7V64Mb 4M x 160.05mA70nsFLASHParallel4MX161610μs22b64 Mb0.00004A2.7VYESYESNO12832K16BYESBOTTOMYES8mm1.2mm无ROHS3 Compliant------------
- NOR Flash Parallel 3V/3.3V 64Mbit 4M x 16bit 70ns 48-Pin TFBGA Tray---表面贴装48-TFBGA48Non-Volatile-40°C~85°C TATray-2008e1Obsolete3 (168 Hours)48锡银铜2.7V~3.6VBOTTOM26013V0.75mm30M28W640---64Mb 4M x 16--FLASHParallel4MX161670ns22b64 Mb0.000005A-NONOYES81274K32K4words-BOTTOMYES10.5mm1.2mm无ROHS3 CompliantYESyes3A991.B.1.A底部启动区块8542.32.00.51483/3.3V2.7V18mA70 nsAsynchronous16b
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SST39VF6401B-70-4I-B1KE | Microchip Technology | 存储器 | 48-TFBGA | IC FLASH 64M PARALLEL 48TFBGA | 对比 |
![]() | SST39VF6402B-70-4I-B1KE | Microchip Technology | 存储器 | 48-TFBGA | IC FLASH 64M PARALLEL 48TFBGA | 对比 |
![]() | M28W640HCB70ZB6E | Micron Technology Inc. | 存储器 | 48-TFBGA | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 64Mbit 4M x 16bit 70ns 48-Pin TFBGA Tray | 对比 |




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