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首页 全部分类 SST3906T116 vs DRA2123Y0L

SST3906T116备选型号: DRA2123Y0L

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  • 晶体管类型
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  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
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  • 接通时间-最大值(ton)
  • 集电极-基极电容-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • Reach合规守则
  • 极性
  • 功率耗散
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ROHM Semiconductor
    SST3906T116
    ROHM Semiconductor
    TRANS PNP 40V 0.2A SST3
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    40V
    -400mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    8541.21.00.75
    350mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    10
    T3906
    3
    Single
    350mW
    SWITCHING
    250MHz
    PNP
    PNP
    400mV
    200mA
    100 @ 10mA 1V
    50nA
    400mV @ 5mA, 50mA
    250MHz
    40V
    -40V
    -5V
    -200mA
    70ns
    4pF
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Panasonic Electronic Components
    DRA2123Y0L
    Panasonic Electronic Components
    Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    -
    50V
    -250mV
    -
    Tape & Reel (TR)
    2009
    -
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    8541.21.00.95
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    DRA2123
    -
    Single
    -
    SWITCHING
    -
    -
    PNP - Pre-Biased
    -50V
    100mA
    30 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 500μA, 10mA
    -
    50V
    -
    -
    -100mA
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    150°C
    -40°C
    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.55
    unknown
    PNP
    200mW
    2.2 k Ω
    10 k Ω
    1.1mm
    2.9mm
    1.5mm
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