SST4403T116
SST4403T116

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ROHM Semiconductor SST4403T116

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型号

SST4403T116

utmel 编号

2078-SST4403T116

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS PNP 40V 0.6A SST3

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SST4403T116
SST4403T116 ROHM Semiconductor TRANS PNP 40V 0.6A SST3

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SST4403T116详情

ROHM Semiconductor SST4403T116重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    40V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    -1.3V

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    10000

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2011

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • HTS代码

    8541.21.00.75

  • 电压 - 额定直流

    -40V

  • 最大功率耗散

    200mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 额定电流

    -600mA

  • 基本部件号

    T4403

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 功率 - 最大

    200mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 增益带宽积

    200MHz

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 晶体管类型

    PNP

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    750mV

  • 最大集电极电流

    600mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    100 @ 150mA 1V

  • 最大集极截止电流

    100nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    750mV @ 50mA, 500mA

  • 转换频率

    200MHz

  • 最大击穿电压

    40V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    30V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    10V

  • 连续集电极电流

    500mA

  • VCEsat-最大值

    0.6 V

  • 关断时间-最大值(toff)

    255ns

  • 集电极-基极电容-最大值

    7pF

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和ROHM Semiconductor & SST4403T116相似的参数规格。

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SST4403T116拓展信息

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2SA1037AKT146R
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