SST4403T116备选型号: DTB143TKT146
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 连续集电极电流
- VCEsat-最大值
- 关断时间-最大值(toff)
- 集电极-基极电容-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 极性
- 功率耗散
- 频率转换
- 电阻基(R1)
- TRANS PNP 40V 0.6A SST313 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON40V-1.3V150°C TJTape & Reel (TR)2011e1yes活跃1 (Unlimited)3EAR998541.21.00.75-40V200mWDUAL鸥翼-600mAT44033Single200mWSWITCHING200MHzPNPPNP750mV600mA100 @ 150mA 1V100nA ICBO750mV @ 50mA, 500mA200MHz40V30V10V500mA0.6 V255ns7pF无ROHS3 Compliant无铅----------
- TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT37 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33-40V--Tape & Reel (TR)2006e1yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR998541.21.00.75-40V200mWDUAL鸥翼-500mADTB1433Single-SWITCHING--PNP - Pre-Biased300mV500mA100 @ 50mA 5V500nA ICBO300mV @ 2.5mA, 50mA200MHz40V--5V-500mA---无ROHS3 Compliant无铅锡银铜150°C-55°CBUILT-IN BIAS RESISTOR26010PNP200mW200MHz4.7 k Ω
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1313-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 3-Pin S-Mini Embossed T/R | 对比 | |
| DTB123YCT116 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST | 对比 | |
![]() | 2PB710AS,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 50V 0.5A SC59 | 对比 |



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