STAC3932F备选型号: IPB600N25N3GATMA1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 测试电流
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 晶体管类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 增益
- 功率 - 输出
- 场效应管技术
- 电压-测试
- RoHS状态
- 底架
- 安装类型
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- Reach合规守则
- JESD-30代码
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 无铅
- TRANS RF PWR N-CH STAC244FACTIVE (Last Updated: 7 months ago)32 WeeksSTAC244FYES41Tray活跃3 (168 Hours)4EAR99150°C-65°C625WDUALFLAT未说明20A123MHz未说明STAC3934不合格SINGLE增强型MOSFETSOURCE250mAAMPLIFIER250VN-Channel20A20V24.6dB580WMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR100VROHS3 Compliant------------------------
- Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2 Tab) TO-263-13 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-325A TcTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)2EAR99---SINGLE鸥翼未说明--未说明-4不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN-SWITCHING--25A20V----ROHS3 Compliant表面贴装表面贴装SILICON-55°C~175°C TJOptiMOS™2008e3noTin (Sn)not_compliantR-PSSO-G2136W10 nsN-Channel60m Ω @ 25A, 10V4V @ 90μA无卤素2350pF @ 100V29nC @ 10V±20V8 ns250V0.06Ohm含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3 | 对比 |
![]() | IPB600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |





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