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STAC4932F备选型号: IRF640NSTRLPBF
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 端子位置
- 终端形式
- 频率
- 基本部件号
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 测试电流
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 晶体管类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 增益
- 漏源击穿电压
- 功率 - 输出
- 场效应管技术
- 电压-测试
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 安装类型
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 终端
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 恢复时间
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
TRANS RF PWR N-CH STAC244FACTIVE (Last Updated: 7 months ago)32 Weeks表面贴装STAC244F42Tray活跃3 (168 Hours)4EAR99150°C-65°CDUALFLAT123MHzSTAC4934SINGLE增强型MOSFETSOURCE250mAAMPLIFIER200VN-Channel1mA20V26dB200V1200WMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR100V无ROHS3 Compliant无铅--------------------------------------
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK-12 Weeks表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB318A TcTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)2EAR99---鸥翼----增强型MOSFETDRAIN-SWITCHING--18A20V-200V---无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free表面贴装SILICON-55°C~175°C TJHEXFET®2004e3SMD/SMT150mOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE200V26018A30R-PSSO-G21Single150W10 nsN-Channel150m Ω @ 11A, 10V4V @ 250μA1160pF @ 25V67nC @ 10V19ns±20V5.5 ns4V72A200V247 mJ251 ns175°C4 V5.084mm10.668mm9.65mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK | 对比 |
| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK | 对比 |
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