您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 STB11N52K3 vs FQB27P06TM

STB11N52K3备选型号: FQB27P06TM

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 质量
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终端
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 箱体转运
  • 双电源电压
  • STMicroelectronics
    STB11N52K3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    10A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperMESH3™
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    鸥翼
    STB11N
    4
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    125W
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    510m Ω @ 5A, 10V
    4.5V @ 50μA
    1400pF @ 50V
    51nC @ 10V
    18ns
    ±30V
    42 ns
    10A
    3.75V
    30V
    0.51Ohm
    525V
    40A
    170 mJ
    4.6mm
    10.75mm
    10.4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQB27P06TM
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FQB27P06TM - MOSFET Transistor, P Channel, 27 A, -60 V, 0.055 ohm, -10 V, -4 V
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    27A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    鸥翼
    -
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    3.75W
    18 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    70m Ω @ 13.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1400pF @ 25V
    43nC @ 10V
    185ns
    ±25V
    90 ns
    -27A
    -4V
    25V
    -
    -60V
    -
    560 mJ
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 18 hours ago)
    6 Weeks
    Tin
    1.31247g
    2001
    e3
    yes
    SMD/SMT
    70MOhm
    -60V
    -27A
    DRAIN
    60V
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPB054N08N3GATMA1 IPB054N08N3GATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2 Tab) TO-263 对比
FQB27P06TM FQB27P06TM ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB ON SEMICONDUCTOR - FQB27P06TM - MOSFET Transistor, P Channel, 27 A, -60 V, 0.055 ohm, -10 V, -4 V 对比