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STB11N52K3备选型号: IPB083N10N3GATMA1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 配置
- 箱体转运
- 无卤素
- 最大双电源电压
MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON10A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SuperMESH3™Obsolete1 (Unlimited)2EAR99ULTRA-LOW RESISTANCE鸥翼STB11N4R-PSSO-G2Single增强型MOSFET125W7 nsN-ChannelSWITCHING510m Ω @ 5A, 10V4.5V @ 50μA1400pF @ 50V51nC @ 10V18ns±30V42 ns10A3.75V30V0.51Ohm525V40A170 mJ4.6mm10.75mm10.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--------------
IPB083N10N3GXT表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™活跃1 (Unlimited)2EAR99-鸥翼-4R-PSSO-G2-增强型MOSFET125W18 nsN-ChannelSWITCHING8.3m Ω @ 73A, 10V3.5V @ 75μA3980pF @ 50V55nC @ 10V42ns±20V8 ns80A-20V-------无SVHC-ROHS3 Compliant含铅13 Weeks2008e3noTin (Sn)SINGLE未说明not_compliant未说明不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODEDRAIN无卤素100V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB054N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
 | FQB27P06TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | ON SEMICONDUCTOR - FQB27P06TM - MOSFET Transistor, P Channel, 27 A, -60 V, 0.055 ohm, -10 V, -4 V | 对比 |
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