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STB11N65M5备选型号: STB12NM50ND
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- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 引脚数量
- 配置
- 箱体转运
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET N CH 650V 9A D2PAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON9A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ V活跃1 (Unlimited)2EAR99鸥翼STB11NR-PSSO-G2Single增强型MOSFET85W23 nsN-ChannelSWITCHING480m Ω @ 4.5A, 10V5V @ 250μA644pF @ 100V17nC @ 10V±25V9A25V9A0.48Ohm650V4.6mm10.4mm9.35mm无ROHS3 Compliant无铅------------ MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK--表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON11A Tc150°C TJTape & Reel (TR)FDmesh™ IIObsolete1 (Unlimited)2EAR99鸥翼STB12NR-PSSO-G2-增强型MOSFET100W12 nsN-ChannelSWITCHING380m Ω @ 5.5A, 10V5V @ 250μA850pF @ 50V30nC @ 10V±25V11A25V--500V---无ROHS3 Compliant无铅e3290mOhmMatte Tin (Sn) - annealedSINGLE2454SINGLEDRAIN15ns17 ns44A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB12NM50ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | 对比 |
| STB8N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK | 对比 |
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